サムスン 7nmから3nmプロセスのロードマップを発表

半導体の製造の微細化はどんどん進んでいますが、サムスンは3nmまでのロードマップを発表しました。
今回サムスンは、7LPP、5LPE、4LPE/LPP、3GAAE/GAAPのプロセス技術を発表しました。

7nmLPPは2018年後半に生産準備が整い、主要IPは2019年前半の完成を予定しています。
なお現在主流のFinFETは4LPE/LPPで終了し、3nmプロセスでは新しいアーキテクチャを採用する予定です。
この技術はナノシードデバイスを使用し、MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET)と読んでいます。

今後まスマートフォンの性能はどんどん上がって行きそうですが、果たしてそこまでの機能が必要なのでしょうか?
different-transistor-topologies-980x733

 

[ソース:samsung]