3D NANDの限界は200層であることを表明

フラッシュメモリの急速な大容量化が続いていますが、これは3D構造を採用したことにより実現されています。
既に64層のフラッシュメモリも製品化されていますが、この限界200層あたりになりそうだということをSKハイニックスが発表しました。
同様の認識はサムスンも持っているそうです。

ただし何年後に到達するのかは明言を避けました。

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[ソース:zdnet]

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