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インテル/マイクロン 3D NANDフラッシュメモリを搭載発表

2015年3月31日

3Dフラッシュメモリの発表が相次いでいますが、インテルとマイクロンが共同で3D NANDフラッシュメモリを発表しました。
この技術により、モバイル民生機器、エンタープライズ向けにも使用可能で、大幅なコスト低減が実現可能となっているそうです。

インテルとマイクロンは32層の3Dメモリですが、東芝は48層となっています。
ただ32層でもMLCで258Gbit、TLCで384Gbitを実現できるそうです。
なお256Gbit版はすでにサンプル出荷中で、384Gbitは2015年春にサンプル出荷を開始するそうです。
2015年の年末までにはフル生産状態になるので、来年あたりはスマートフォンも256Gbit容量が登場するかもしれません。

 

[ソース:digitimes]