アップル ストレージ対決でどっちが高速?

アップルのiPhone6 Plusで問題が多発していますが、その原因がTLCフラッシュを搭載しているコントローラーではないかと言われています。

iPhone6 Plusは1日数度クラッシュする問題 その5

フラッシュメモリには方式としてNand型とNor型があり、Nand型では2bitを記憶できるMLCと3bitを記憶できるTLCがあります。
当初MLCはMultiple level cellということで、2bit以上を記憶できる素子という意味で使用されていましたが、TLCが出てきたために2bit記憶できるメモリと限定的なものに変更されました。

TLCは多値を記憶するので、当然スピードが遅くなります。
一方面積などが小さくできるのでコスト面で有利とされています。

今回実際にiPhone6搭載されているMLCとTLCの比較し、どのような違いがあるかについて、その結果が公開されました。

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本来TLC単体ではMLCよりも遅いのですが、書き込みテストではTLCのほうがMLCよりも高速に書き込みが行え、最高207MB/sの書き込み速度を達成しました。
これはTLCが遅い問題を解決するために、別に搭載しているディスクキャッシュメモリが機能している結果と思われます。
ところが、一定容量のシステムメモリをディスクキャッシュメモリに使用しているためか、500MB以上のファイルのコピーではその機能を活かせないというバグが発見されました。

実際の動作に近いランダムパターンでは、ディスクキャッシュがあまり効かずMLCの85%程度となりました。
結局MLCの方が優れているという、当たり前の結果が判明しました。

[ソース:kbench]

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